商品型号： BSH111BKR
制造厂商： Nexperia(安世)
封装规格： SOT-23
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY742602
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210mA 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：302mW 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
BSH111BKR由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSH111BKR价格参考￥7.439200。Nexperia(安世)BSH111BKR封装/规格：SOT-23,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210mA 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：302mW 类型：N沟道
手机版：BSH111BKR
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