商品型号： VBQG7313
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： DFN6(2X2)
商品毛重： 0.56g
商品编号： CY055224
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：-2.4V @ -250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 类型 | N沟道 |
VBQG7313由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBQG7313价格参考￥9.278100。VBsemi(台湾微碧)VBQG7313封装/规格：DFN6(2X2),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：-2.4V @ -250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W 类型：N沟道
手机版：VBQG7313
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