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VBFB1410

商品型号: VBFB1410

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: TO251

商品毛重: 0.58g

商品编号: CY608257

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55.5W 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 40V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55.5W 类型:N沟道

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VBFB1410由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBFB1410价格参考¥3.321800。VBsemi(台湾微碧)VBFB1410封装/规格:TO251,连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55.5W 类型:N沟道

手机版:VBFB1410