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PMV33UPE,215

商品型号： PMV33UPE,215

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： TO-236AB

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY645349

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：490mW 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：490mW 类型：P沟道

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PMV33UPE,215由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMV33UPE,215价格参考￥1.145600。Nexperia(安世)PMV33UPE,215封装/规格：TO-236AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：490mW 类型：P沟道

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