商品型号： VBFB1208N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO251
商品毛重： 0.61g
商品编号： CY369792
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：56mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：145W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥2.1764
10+
￥2.148
30+
￥2.1196
100+
￥2.0912
500+
￥2.0628
1000+
￥2.0314
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 25A | |
| 类型 | N沟道 |
VBFB1208N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBFB1208N价格参考￥2.176400。VBsemi(台湾微碧)VBFB1208N封装/规格：TO251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：56mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：145W 类型：N沟道
手机版：VBFB1208N
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