商品型号： VBFB2317
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO251
商品毛重： 0.60g
商品编号： CY957733
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥6.3264
10+
￥6.2724
30+
￥6.2184
100+
￥6.1644
500+
￥6.1104
1000+
￥6.0564
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
VBFB2317由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBFB2317价格参考￥6.326400。VBsemi(台湾微碧)VBFB2317封装/规格：TO251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：P沟道
手机版：VBFB2317
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