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VBA4317

商品型号: VBA4317

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SO-8

商品毛重: 2.17g

商品编号: CY756744

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 7.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥2.46

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商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 7.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双P沟道

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VBA4317由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBA4317价格参考¥2.456600。VBsemi(台湾微碧)VBA4317封装/规格:SO-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 7.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双P沟道

手机版:VBA4317