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PMPB33XN,115

商品型号： PMPB33XN,115

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT1220

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY151230

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：47mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：47mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道

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PMPB33XN,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMPB33XN,115价格参考￥4.076800。Nexperia(安世)PMPB33XN,115封装/规格：SOT1220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：47mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道

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