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VBQA1638

商品型号: VBQA1638

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: QFN8(5X6)

商品毛重: 2.04g

商品编号: CY622262

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.8V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35.7W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥6.12

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 15A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.8V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35.7W 类型:N沟道

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VBQA1638由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBQA1638价格参考¥6.122200。VBsemi(台湾微碧)VBQA1638封装/规格:QFN8(5X6),连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.8V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35.7W 类型:N沟道

手机版:VBQA1638