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PTW50N20

商品型号： PTW50N20

制造厂商： PIP(丽隽)

封装规格： TO-3P

商品毛重： 7.00g

商品编号： CY062318

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,200V,40m?@10V,50A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	200V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,200V,40m?@10V,50A

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PTW50N20由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTW50N20价格参考￥7.266100。PIP(丽隽)PTW50N20封装/规格：TO-3P,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,200V,40m?@10V,50A

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