商品型号： TPA65R170M
制造厂商： 无锡紫光微
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.92g
商品编号： CY442867
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.4194
10+
￥9.3506
30+
￥9.2818
100+
￥9.213
500+
￥9.142
1000+
￥9.071
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
TPA65R170M由无锡紫光微设计生产,在芯云购商城现货销售,TPA65R170M价格参考￥9.419400。无锡紫光微TPA65R170M封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
手机版：TPA65R170M
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