商品型号： TN0702N3-G
制造厂商： MICROCHIP(美国微芯)
封装规格： TO-92(TO-92-3)
商品毛重： 0.24g
商品编号： CY496452
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：530mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 500mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 类型 | N沟道 |
TN0702N3-G由MICROCHIP(美国微芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,TN0702N3-G价格参考￥2.587400。MICROCHIP(美国微芯)TN0702N3-G封装/规格：TO-92(TO-92-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：530mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 500mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W(Tc) 类型：N沟道
手机版：TN0702N3-G
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