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TPH4R008NH,L1Q

商品型号： TPH4R008NH,L1Q

制造厂商： TOSHIBA(东芝)

封装规格： SOP Advance

商品毛重： 0.11g

商品编号： CY918054

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	80V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道

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TPH4R008NH,L1Q由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,TPH4R008NH,L1Q价格参考￥3.046800。TOSHIBA(东芝)TPH4R008NH,L1Q封装/规格：SOP Advance,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道

手机版：TPH4R008NH,L1Q