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TK55S10N1,LQ

商品型号： TK55S10N1,LQ

制造厂商： TOSHIBA(东芝)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.60g

商品编号： CY384000

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 500uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 27.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：157W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 500uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 27.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：157W(Tc) 类型：N沟道

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TK55S10N1,LQ由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,TK55S10N1,LQ价格参考￥2.234800。TOSHIBA(东芝)TK55S10N1,LQ封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 500uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 27.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：157W(Tc) 类型：N沟道

手机版：TK55S10N1,LQ