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TPN1R603PL,L1Q

商品型号: TPN1R603PL,L1Q

制造厂商: TOSHIBA(东芝)

封装规格: TSON Advance

商品毛重: 0.11g

商品编号: CY968912

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:10V @ 10uA 漏源导通电阻:1.2mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W(Tc) 类型:N沟道

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总   价: ¥9.10

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:10V @ 10uA 漏源导通电阻:1.2mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W(Tc) 类型:N沟道

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TPN1R603PL,L1Q由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,TPN1R603PL,L1Q价格参考¥9.097000。TOSHIBA(东芝)TPN1R603PL,L1Q封装/规格:TSON Advance,连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:10V @ 10uA 漏源导通电阻:1.2mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W(Tc) 类型:N沟道

手机版:TPN1R603PL,L1Q