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NCV8403ASTT1G

商品型号： NCV8403ASTT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SOT-223-3

商品毛重： 0.21g

商品编号： CY202337

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tj) 漏源电压（Vdss）：42V 栅源极阈值电压：2.2V @ 1.2mA 漏源导通电阻：68mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tj) 漏源电压（Vdss）：42V 栅源极阈值电压：2.2V @ 1.2mA 漏源导通电阻：68mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道

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NCV8403ASTT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NCV8403ASTT1G价格参考￥3.335100。ON(安森美)NCV8403ASTT1G封装/规格：SOT-223-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tj) 漏源电压（Vdss）：42V 栅源极阈值电压：2.2V @ 1.2mA 漏源导通电阻：68mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道

手机版：NCV8403ASTT1G