商品型号： HY1906D
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-252-2
商品毛重： 0.49g
商品编号： CY374388
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
HY1906D由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY1906D价格参考￥9.427800。HUAYI(华羿微)HY1906D封装/规格：TO-252-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HY1906D
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