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4N65L-Q-TM3-T

商品型号： 4N65L-Q-TM3-T

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-251(I-PAK)

商品毛重： 0.60g

商品编号： CY596175

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道 N沟 650V 4A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4A
最大功率耗散（Ta=25°C）	50W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道 N沟 650V 4A

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4N65L-Q-TM3-T由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,4N65L-Q-TM3-T价格参考￥1.314900。3PEAK4N65L-Q-TM3-T封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道 N沟 650V 4A

手机版：4N65L-Q-TM3-T