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7NM70G-TMN2-T

商品型号： 7NM70G-TMN2-T

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-251NS2

商品毛重： 0.55g

商品编号： CY426508

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,700V,7A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	700V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,700V,7A

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7NM70G-TMN2-T由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,7NM70G-TMN2-T价格参考￥1.238000。3PEAK7NM70G-TMN2-T封装/规格：TO-251NS2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,700V,7A

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