商品型号： TSU5N60M
制造厂商： Truesemi(信安)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.59g
商品编号： CY590984
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.4808
10+
￥7.4026
30+
￥7.3244
100+
￥7.2433
500+
￥7.1622
1000+
￥7.0811
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
TSU5N60M由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSU5N60M价格参考￥7.480800。Truesemi(信安)TSU5N60M封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
手机版：TSU5N60M
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