TK10A60D(STA4,Q,M)

商品型号： TK10A60D(STA4,Q,M)

制造厂商： TOSHIBA(东芝)

封装规格： TO-220F(TO-220IS)

商品毛重： 2.86g

商品编号： CY838589

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	10A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。

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