商品型号： TDM3736
制造厂商： Techcode(泰德)
封装规格： PQFN-8_5x6mm
商品毛重： 0.17g
商品编号： CY605726
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：112A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 80V 4.2mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
TDM3736由Techcode(泰德)设计生产,在芯云购商城现货销售,TDM3736价格参考￥6.423800。Techcode(泰德)TDM3736封装/规格：PQFN-8_5x6mm,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：112A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 80V 4.2mΩ@10V
手机版：TDM3736
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