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DMP3050LVT-7

商品型号： DMP3050LVT-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： TSOT26

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY181218

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：P沟道 P沟道,-30V,-4.5A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：P沟道 P沟道,-30V,-4.5A

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DMP3050LVT-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMP3050LVT-7价格参考￥5.544500。DIODES(美台)DMP3050LVT-7封装/规格：TSOT26,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：P沟道 P沟道,-30V,-4.5A

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