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DMTH8003SPS-13

商品型号： DMTH8003SPS-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： PowerDI5060-8

商品毛重： 0.21g

商品编号： CY995685

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.9mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.9W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	100A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.9mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.9W 类型：N沟道

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DMTH8003SPS-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMTH8003SPS-13价格参考￥8.118400。DIODES(美台)DMTH8003SPS-13封装/规格：PowerDI5060-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.9mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.9W 类型：N沟道

手机版：DMTH8003SPS-13