商品型号： TPH3R70APL,L1Q(M
制造厂商： TOSHIBA(东芝)
封装规格： SOP-8
商品毛重： 0.20g
商品编号： CY423195
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：3.7mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：960mW 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
TPH3R70APL,L1Q(M由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,TPH3R70APL,L1Q(M价格参考￥8.474200。TOSHIBA(东芝)TPH3R70APL,L1Q(M封装/规格：SOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：3.7mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：960mW 类型：N沟道
手机版：TPH3R70APL,L1Q(M
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