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PMV40UN2R

商品型号: PMV40UN2R

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.02g

商品编号: CY506354

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:44mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):490mW 类型:N沟道

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总   价: ¥22.32

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:44mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):490mW 类型:N沟道

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PMV40UN2R由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMV40UN2R价格参考¥4.464200。Nexperia(安世)PMV40UN2R封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:44mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):490mW 类型:N沟道

手机版:PMV40UN2R