商品型号： TPS1100DR
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： SOP-8_150mil
商品毛重： 0.10g
商品编号： CY100036
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A 漏源电压（Vdss）：15V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：791mW 类型：P沟道 TPS1100 单路 P 通道增强-模式 MOSFET
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 15V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.6A | |
| 类型 | P沟道 |
TPS1100DR由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,TPS1100DR价格参考￥4.561300。TI(德州仪器)TPS1100DR封装/规格：SOP-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A 漏源电压（Vdss）：15V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：791mW 类型：P沟道 TPS1100 单路 P 通道增强-模式 MOSFET
手机版：TPS1100DR
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