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DMT3009LFVW-7

商品型号： DMT3009LFVW-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： PowerDI3333-8

商品毛重： 0.12g

商品编号： CY243515

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Ta),50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 14.4A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.3W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Ta),50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 14.4A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.3W 类型：N沟道

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DMT3009LFVW-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMT3009LFVW-7价格参考￥3.440000。DIODES(美台)DMT3009LFVW-7封装/规格：PowerDI3333-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Ta),50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 14.4A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.3W 类型：N沟道

手机版：DMT3009LFVW-7