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DMT10H009LCG-7

商品型号： DMT10H009LCG-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： V-DFN3333-8

商品毛重： 0.06g

商品编号： CY460412

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

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DMT10H009LCG-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMT10H009LCG-7价格参考￥6.372800。DIODES(美台)DMT10H009LCG-7封装/规格：V-DFN3333-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

手机版：DMT10H009LCG-7