商品型号： HY4903B
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-263-2L
商品毛重： 2.20g
商品编号： CY249696
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：290A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 145A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：214W 类型：N沟道 N沟道
数量
价格
1+
￥9.0332
10+
￥9.0281
30+
￥9.023
100+
￥9.0179
500+
￥9.0128
1000+
￥9.0077
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
HY4903B由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY4903B价格参考￥9.033200。HUAYI(华羿微)HY4903B封装/规格：TO-263-2L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：290A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 145A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：214W 类型：N沟道 N沟道
手机版：HY4903B
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