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VSI008N10MS

商品型号： VSI008N10MS

制造厂商： Vanguard(威兆)

封装规格： TO-251

商品毛重： 0.84g

商品编号： CY956037

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：94A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W 类型：N沟道 N沟道 100V 94A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：94A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W 类型：N沟道 N沟道 100V 94A

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VSI008N10MS由Vanguard(威兆)设计生产,在芯云购商城现货销售,VSI008N10MS价格参考￥8.582300。Vanguard(威兆)VSI008N10MS封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：94A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W 类型：N沟道 N沟道 100V 94A

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