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AUIRF7665S2TR

商品型号： AUIRF7665S2TR

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： DirectFET-SmallCan

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY247615

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：5V @ 25uA 漏源导通电阻：62mΩ @ 8.9A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：5V @ 25uA 漏源导通电阻：62mΩ @ 8.9A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：N沟道

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AUIRF7665S2TR由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,AUIRF7665S2TR价格参考￥5.260000。Infineon(英飞凌)AUIRF7665S2TR封装/规格：DirectFET-SmallCan,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：5V @ 25uA 漏源导通电阻：62mΩ @ 8.9A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：N沟道

手机版：AUIRF7665S2TR