




商品型号: AUIRFZ24NSTRL
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: D2PAK
商品毛重: 1.00g
商品编号: CY402182
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:4V @ 250?A 漏源导通电阻:70mOhm @ 10A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥2.3139
200+
¥2.2361
500+
¥2.1583
1000+
¥2.0805
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
| 属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
AUIRFZ24NSTRL由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,AUIRFZ24NSTRL价格参考¥2.313900。Infineon(英飞凌)AUIRFZ24NSTRL封装/规格:D2PAK,连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:4V @ 250?A 漏源导通电阻:70mOhm @ 10A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道
手机版:AUIRFZ24NSTRL
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