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PSMN057-200B,118

商品型号： PSMN057-200B,118

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY660866

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：39A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：57Ω @ 17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道 N沟道,200V,39A,41mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	200V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：39A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：57Ω @ 17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道 N沟道,200V,39A,41mΩ@10V

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PSMN057-200B,118由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN057-200B,118价格参考￥2.579000。Nexperia(安世)PSMN057-200B,118封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：39A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：57Ω @ 17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道 N沟道,200V,39A,41mΩ@10V

手机版：PSMN057-200B,118