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7NM65G-TN3-R

商品型号： 7NM65G-TN3-R

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.50g

商品编号： CY117152

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,7A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,7A

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7NM65G-TN3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,7NM65G-TN3-R价格参考￥2.319000。3PEAK7NM65G-TN3-R封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,7A

手机版：7NM65G-TN3-R