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CSD17577Q3A_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册

2024/6/23 16:10:58

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CSD17577Q3A

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

 


 

                                                    更多技术详情请登录www.mroic.cn    

 


 

 

1 特性

 

• 低 Qg 和 Qgd

• 低热阻

• 雪崩额定值

• 无铅

• 符合 RoHS 环保标准

• 无卤素

• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装

 

 

 

 

2 应用范围

 

• 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压

• 针对控制和同步 FET 应用进行了优化

 

                                                         


 

 

3 说明

 

这款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。