2024/6/30 11:18:04
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1 特性
• 输入电压范围：0.65V 至 3.6V
• 导通电阻
– VIN = 3.6V 时，RON = 9.2mΩ
– VIN = 1.8V 时，RON = 9.2mΩ
– VIN = 1V 时，RON = 10.2mΩ
– VIN = 0.65V 时，RON = 13.1mΩ
• 3A 最大连续开关电流
• 静态电流 IQ,VIN = 29µA（VIN = 3.6V 时）
• 低控制输入阈值，支持使用 1.2V、1.8V、2.5V 或 3.3V 逻辑器件
• 受控转换率
– tR = 97µs（VIN = 3.6V 时）(TPS22925Bx)
– tR = 810µs（VIN = 3.6V 时）(TPS22925Cx)
• 阻断反向电流（禁用时）
• 快速输出放电 (QOD)（仅限 TPS22925B 和 TPS22925C）
• 晶圆级芯片规模封装：
– 0.9mm x 1.4mm、间距为 0.5mm、高度为 0.5mm
• 静电放电 (ESD) 性能经测试符合 JESD 22 规范
– 1kV 人体放电模式 (HBM) 和 500V 组件充电模 式(CDM)
2 应用
• 计算
• 固态硬盘 (SSD)
• 平板电脑
• 可穿戴产品
• 电子销售点 (EPOS)
3 说明
TPS22925 产品系列包括 4 款器件：TPS22925B、 TPS22925BN、TPS22925C 和 TPS22925CN。每款 器件都是一个转换率受控的 9mΩ 单通道负载开关。
该系列器件包含一个可在 0.65V 至 3.6V 输入电压范围 内运行的 N 沟道 MOSFET，最高可支持 3A 持续电 流。这种持续电流性能使得该系列器件适用于多种设计 与终端设备。TPS22925 系列的每一款器件在禁用时 都提供反向电流阻断功能，从而保护电源并且实现电源 多路复用功能。
器件的可控上升时间可大幅降低大容量负载电容所产生 的浪涌电流，从而降低或消除电源压降。当工作输入电 压为 3.6V 时，TPS22925Bx 器件的上升时间为 97μs，而 TPS22925Cx 器件的上升时间为 810μs。
TPS22925 系列器件提供一个可选的 150Ω 集成下拉 电阻，方便在开关断开时实现快速输出放电 (QOD)， 这有助于缩减总体解决方案尺寸。TPS22925 系列的 每一款器件都采用 0.9mm × 1.4mm、间距 0.5mm、高 度为 0.4mm 的 6 引脚晶圆级芯片规模封装 (WCSP)， 有助于实现尺寸更小、集成度更高的设计。WCSP 封 装与 9mΩ 导通电阻使得该系列器件适用于空间受限型 电池供电类 应用。器件在自然通风环境下的额定工作 温度范围为 –40°C 至 105°C。
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